О влиянии кислородной бомбардировки на структурообразование пленок оксида гафния

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Методом магнетронного реактивного распыления в условиях кислородной бомбардировки получены пленки оксида гафния. Структурный анализ показал, что присутствие кислородной бомбардировки в процессе роста пленки приводит к изменениям ближнего порядка в кристаллической структуре полученных пленок.

Об авторах

В. А. Лузанов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: valery@luzanov.ru
Россия, пл. Введенского, 1, Фрязино, Московская обл., 141190

Список литературы

  1. Böscke T., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Int. Electron Devices Meeting. 2011. P. 24.5.1.
  2. Grüger H., Kunath C., Kurth E. et al. // Thin Solid Films. 2004. № 447. P. 509.
  3. Cavalieri M., O’Connor É., Gastaldi C. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2020. V. 2. № 6. P. 1752.
  4. He J. Q., Teren A., Jia C. L. et al. // J. Сrystal Growth. 2004. № 262. P. 295.
  5. Tongpenga S., Makbuna K., Peanporma P. et al. // Materials Today: Proceedings. 2019. V. 17. Pt. 4. P. 1555.
  6. Belo G. S., Nakagomi F., Minko A. et al. // Appl. Surf. Sci. 2012. № 261. P. 727.
  7. Лузанов В. А., Алексеев С. Г., Ползикова Н. И. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. P. 1015.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2024