On the influence of oxygen bombardment on the structure formation of hafnium oxide films

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Hafnium oxide films were deposited by magnetron reactive sputtering under oxygen bombardment conditions. Structural analysis showed that the presence of oxygen bombardment during film growth leads to changes in the short-range order in the crystal structure of the films obtained.

Негізгі сөздер

Авторлар туралы

V. Luzanov

Fryazino Branch Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: valery@luzanov.ru
Ресей, Vvedenskii Squar., 1, Fryazino, Moscow Region, 141190

Әдебиет тізімі

  1. Böscke T., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Int. Electron Devices Meeting. 2011. P. 24.5.1.
  2. Grüger H., Kunath C., Kurth E. et al. // Thin Solid Films. 2004. № 447. P. 509.
  3. Cavalieri M., O’Connor É., Gastaldi C. et al. // ACS Appl. Electron. Mater. 2020. V. 2. № 6. P. 1752.
  4. He J. Q., Teren A., Jia C. L. et al. // J. Сrystal Growth. 2004. № 262. P. 295.
  5. Tongpenga S., Makbuna K., Peanporma P. et al. // Materials Today: Proceedings. 2019. V. 17. Pt. 4. P. 1555.
  6. Belo G. S., Nakagomi F., Minko A. et al. // Appl. Surf. Sci. 2012. № 261. P. 727.
  7. Лузанов В. А., Алексеев С. Г., Ползикова Н. И. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. P. 1015.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2024