Модель структурного упорядочения вакансий и образования семейства тройных соединений в системах A^I–B^III–C^VI

Характерной особенностью тройных халькогенидных соединений A^I–B^III–C^VI, оказывающей существенное влияние на возможность управления функцинальными свойствами материалов на их основе, является сильная склонность к отклонению от стехиометрии. Проведено обоснование существования тройных полупроводниковых соединений с упорядоченными вакансиями в нанокристаллах системы A^I–B^III–C^VI с использованием метода триангуляции (метода Горюновой Н.А. для прогнозирования состава алмазоподобных полупроводников). С учетом предположения образования электронейтральных дефектных комплексов, состоящих из вакансии в позиции атома I группы $2{\left[0\right]}_{\text{I}}^{-1}$ и двукратно ионизированного антиструктурного дефекта ${\text{In}}_{\text{I}}^{+2}$, вакансии представлены как псевдоэлемент периодической системы нулевой группы, при этом соединение рассмотрено с позиций концентрационного тетраэдра, и операции триангуляции переходят в операции тетраэдрации. При наличии такого “виртуального” элемента вместо единственного состава в системе A^I–B^III–$C_2^{\text{VI}}$ определяется известная по данным литературы совокупность тройных соединений с упорядоченным содержанием вакансий, отвечающих полупроводникам, имеющим четыре связи на индивидуальный атом.