Ионно-лучевой синтез скрытого свинцово-силикатного слоя в монокристаллическом кремнии

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Acesso é pago ou somente para assinantes

Resumo

Рассмотрены особенности формирования скрытого свинцово-силикатного изолирующего слоя в кремниевых подложках. Для этого в них последовательно имплантировались ионы молекулярного кислорода и свинца в атомарном соотношении 75 : 1, затем производились отжиги при температуре 1150°C в среде сухого кислорода. Распределение имплантированных ионов в экспериментальных образцах регистрировалось методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что скрытый изолятор формируется в процессе спинодального распада твердого раствора SiOx–PbOx в виде трехслойной структуры. Средняя ее часть представляет собой диоксид кремния, легированный ионами свинца, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы. Для анализа профиля распределения свинца предложена модель релаксационной диффузии.

Sobre autores

Э. Бучин

Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Autor responsável pela correspondência
Email: imi.buchin@rambler.ru
Россия, 150007, Ярославль, Университетская, 21

Ю. Денисенко

Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: imi.buchin@rambler.ru
Россия, 150007, Ярославль, Университетская, 21

Bibliografia

  1. Steve Krause, Maria Anc, Peter Roitman. Evolution and Future Trends of SIMOX Material // MRS Bulletin. 1998. V. 23. № 12. P. 25–29.
  2. Parfenov N.M. Analysis of the technological characteristics in fabricating SOI MEMS trandsducers // Russ. Microelectron. 45. 223–227 (2016).
  3. Jeff Chiles, Sasan Fathpour. Silicon photonics beyond silicon-on-insulator // J. of Optics. 2017. V. 19. № 5. 5 053 001.
  4. Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Способ ионного синтеза в кремнии захороненного слоя изолятора. Патент РФ № 2235388. 27.11.2002.
  5. Krivelevich S.A., Buchin Ed.Yu., Denisenko Yu.I., Selyukov R.V. Micro- and Nanoelectronics 2005 / Ed. by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky // Zvenigorod, Russia. Proc. SPIE. 2006. V. 6260. 626007. 8 p.
  6. Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. Ионный синтез структур “кремний на изоляторе” со свинцово-силикатным изолирующим слоем // ПЖТФ. 2021. Т. 47. № 14. С. 47–50.
  7. Mythili N., Arulmozhi K.T., Fareed S.S. A comparative study: On the properties of PbO–SiO2 glass systems synthesized via different routes // Optik. 2016. V. 127. № 22. P. 10817–10824.
  8. Скрипов В.П., Скрипов А.В. Спинодальный распад (Фазовый переход с участием неустойчивых состояний) // УФН. 1979. Т. 128. Вып. 2. С.193–231.
  9. Антонов Н.М., Гусаров В.В., Попов И.Ю. Модель спинодального распада фаз в условиях гиперболической диффузии // ФТТ. 1999. Т. 41. № 5. С. 907–909.
  10. Разумов И.К. Спинодальный распад сплава с сильной концентрационной зависимостью коэффициента взаимной диффузии // ФТТ. 2022. Т. 64. № 1. С. 19–24.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar
2.

Baixar (95KB)
Metadados
3.

Baixar (105KB)
Metadados

Estatísticas

Vusuaização

Resumo: 745

Dimensions

Estatísticas dos artigos

Carregando as estatísticas...

PlumX


Declaração de direitos autorais © Э.Ю. Бучин, Ю.И. Денисенко, 2023