Ионно-лучевой синтез скрытого свинцово-силикатного слоя в монокристаллическом кремнии

Э. Бучин; Бучин Э. Ю.; Ю. Денисенко; Денисенко Ю. И.

doi:10.31857/S0132665122600674

Ионно-лучевой синтез скрытого свинцово-силикатного слоя в монокристаллическом кремнии

作者: Бучин Э.¹, Денисенко Ю.¹
隶属关系:
1. Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
期: 卷 49, 编号 5 (2023)
页面: 567-570
栏目: КРАТКОЕ СООБЩЕНИЕ
URL: https://cijournal.ru/0132-6651/article/view/663367
DOI: https://doi.org/10.31857/S0132665122600674
EDN: https://elibrary.ru/EESTYB
ID: 663367

如何引用文章

全文:

开放存取

##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问

订阅或者付费存取

详细
作者简介
参考
补充文件
统计

详细

Рассмотрены особенности формирования скрытого свинцово-силикатного изолирующего слоя в кремниевых подложках. Для этого в них последовательно имплантировались ионы молекулярного кислорода и свинца в атомарном соотношении 75 : 1, затем производились отжиги при температуре 1150°C в среде сухого кислорода. Распределение имплантированных ионов в экспериментальных образцах регистрировалось методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что скрытый изолятор формируется в процессе спинодального распада твердого раствора SiO_x–PbO_x в виде трехслойной структуры. Средняя ее часть представляет собой диоксид кремния, легированный ионами свинца, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы. Для анализа профиля распределения свинца предложена модель релаксационной диффузии.

关键词

структуры “кремний–на–изоляторе”, ионно-лучевой синтез, спинодальный распад, анализ послойного распределения компонентов

作者简介

Э. Бучин

Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

编辑信件的主要联系方式.
Email: imi.buchin@rambler.ru
Россия, 150007, Ярославль, Университетская, 21

Ю. Денисенко

Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН

Email: imi.buchin@rambler.ru
Россия, 150007, Ярославль, Университетская, 21

参考

Steve Krause, Maria Anc, Peter Roitman. Evolution and Future Trends of SIMOX Material // MRS Bulletin. 1998. V. 23. № 12. P. 25–29.
Parfenov N.M. Analysis of the technological characteristics in fabricating SOI MEMS trandsducers // Russ. Microelectron. 45. 223–227 (2016).
Jeff Chiles, Sasan Fathpour. Silicon photonics beyond silicon-on-insulator // J. of Optics. 2017. V. 19. № 5. 5 053 001.
Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Способ ионного синтеза в кремнии захороненного слоя изолятора. Патент РФ № 2235388. 27.11.2002.
Krivelevich S.A., Buchin Ed.Yu., Denisenko Yu.I., Selyukov R.V. Micro- and Nanoelectronics 2005 / Ed. by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky // Zvenigorod, Russia. Proc. SPIE. 2006. V. 6260. 626007. 8 p.
Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. Ионный синтез структур “кремний на изоляторе” со свинцово-силикатным изолирующим слоем // ПЖТФ. 2021. Т. 47. № 14. С. 47–50.
Mythili N., Arulmozhi K.T., Fareed S.S. A comparative study: On the properties of PbO–SiO2 glass systems synthesized via different routes // Optik. 2016. V. 127. № 22. P. 10817–10824.
Скрипов В.П., Скрипов А.В. Спинодальный распад (Фазовый переход с участием неустойчивых состояний) // УФН. 1979. Т. 128. Вып. 2. С.193–231.
Антонов Н.М., Гусаров В.В., Попов И.Ю. Модель спинодального распада фаз в условиях гиперболической диффузии // ФТТ. 1999. Т. 41. № 5. С. 907–909.
Разумов И.К. Спинодальный распад сплава с сильной концентрационной зависимостью коэффициента взаимной диффузии // ФТТ. 2022. Т. 64. № 1. С. 19–24.