Получение и исследование композита на основе восстановленного оксида графена и наночастиц Fe3O4
- Авторы: Ибрагимова В.Р.1,2, Сапков И.В.1,2,3, Ефремова Е.И.1,2,4, Кудряшова З.А.4, Рустамова Е.Г.1,5, Королёв Д.В.6, Куницына Е.И.6, Иони Ю.В.1,4
-
Учреждения:
- Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Физический факультет
- МИРЭА — Московский технологический университет. Институт тонких химических технологий
- Акционерное общество “Авиационная электроника и коммуникационные системы”
- Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
- Выпуск: Том 70, № 8 (2025)
- Страницы: 1089-1096
- Раздел: НЕОРГАНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ И НАНОМАТЕРИАЛЫ
- URL: https://cijournal.ru/0044-457X/article/view/690771
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044457X25080138
- EDN: https://elibrary.ru/jjycdb
- ID: 690771
Цитировать
Полный текст



Аннотация
Оксид графена (ОГ) и композиты на его основе часто используются для получения графеноподобных материалов термическим или химическим восстановлением, при этом метод восстановления сильно влияет на свойства материалов. В исследовании предложен новый метод получения проводящего композита на основе восстановленного оксида графена (ВОГ), на поверхности которого диспергированы наночастицы (НЧ) магнетита со средним диаметром 18 нм. Метод заключается в обработке композита на основе ОГ, на поверхность которого предварительно нанесены НЧ Fe3O4 в сверхкритическом изопропаноле. Композиты на основе ОГ и ВОГ и НЧ магнетита исследованы методами ИК-спектроскопии, рентгенофазового анализа и сканирующей электронной микроскопии. Показано, что поверхностное сопротивление пленки полученного композита на основе ВОГ составляет 22 Ом/см², намагниченность насыщения — 32.3 эме/г.
Об авторах
В. Р. Ибрагимова
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах
Email: Acidladj@mail.ru
Ленинский пр-т, 31, Москва, 119991 Россия; Ленинские горы, 1, стр. 73, Москва, 119991 Россия
И. В. Сапков
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Физический факультет
Email: Acidladj@mail.ru
Ленинский пр-т, 31, Москва, 119991 Россия; Ленинские горы, 1, стр. 73, Москва, 119991 Россия; Ленинские горы, 1, стр. 2, Москва, 119991 Россия
Е. И. Ефремова
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН; Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах; МИРЭА — Московский технологический университет. Институт тонких химических технологий
Email: Acidladj@mail.ru
Ленинский пр-т, 31, Москва, 119991 Россия; Ленинские горы, 1, стр. 73, Москва, 119991 Россия; пр-т Вернадского, 86, Москва, 119571 Россия
З. А. Кудряшова
МИРЭА — Московский технологический университет. Институт тонких химических технологий
Email: Acidladj@mail.ru
пр-т Вернадского, 86, Москва, 119571 Россия
Е. Г. Рустамова
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН; Акционерное общество “Авиационная электроника и коммуникационные системы”
Email: Acidladj@mail.ru
Ленинский пр-т, 31, Москва, 119991 Россия; проезд Энтузиастов, 15, стр. 8А, Москва, 111024 Россия
Д. В. Королёв
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
Email: Acidladj@mail.ru
пр-т Академика Семенова, 1, Черноголовка, 142432 Россия
Е. И. Куницына
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН
Email: Acidladj@mail.ru
пр-т Академика Семенова, 1, Черноголовка, 142432 Россия
Ю. В. Иони
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН; МИРЭА — Московский технологический университет. Институт тонких химических технологий
Автор, ответственный за переписку.
Email: Acidladj@mail.ru
Ленинский пр-т, 31, Москва, 119991 Россия; пр-т Вернадского, 86, Москва, 119571 Россия
Список литературы
- Chang H. // MRS Bulletin. 2015. V. 40. № 5. P. 445. https://doi.org/10.1557/mrs.2015.93
- Wang P., Hu M., Wang H. et al. // Adv. Sci. 2020. V. 7. № 20. P. 2001116. https://doi.org/10.1002/advs.202001116
- Corzo D., Tostado-Blázquez G., Baran D. // Front. Electron. 2020. V. 1. https://doi.org/10.3389/felec.2020.594003
- Han T.H., Kim H., Kwon S.J. et al. // Mater. Sci. Eng. R.: Rep. 2017. V. 118. P. 1. https://doi.org/10.1016/j.mser.2017.05.001
- Feng H., Fang X., Liu X. et al. // Compos. -A: Appl. Sci. Manuf. 2018. V. 109. P. 578. https://doi.org/10.1016/j.compositesa.2018.03.035
- Mitin D.M., Pavlov A., Fedorov F.S. et al. // Sens. Actuators, B: Chem. 2024. V. 417. P. 136095. https://doi.org/10.1016/j.snb.2024.136095
- Mehmood T., Alotaibi B.M., Alrowaily A.W. et al. // Diam. Relat. Mater. 2025. V. 152. P. 11943. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2024.111943
- Qi S., Zhang C., Sun M. et al. // Diam. Relat. Mater. 2025. V. 154. P. 112258. https://doi.org/10.1016/j.diamond.2025.112258
- Stefan-Henningsen E., Roberts N., Kiani A. // Results Eng. 2025. V. 25. P. 104551. https://doi.org/10.1016/j.rineng.2025.104551
- Kang D., Lee M., Lee S.J. et al. // Appl. Surf. Sci. 2023. V. 624. P. 157121. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.157121
- Mohamed Z., Al-Asbahi B.A., Al-Hada N.M. et al. // Surf. Interfaces. 2025. V. 57. P. 105761. https://doi.org/10.1016/j.surfin.2025.105761
- Ivannikova A.S., Ioni Y.V., Sapkov I.V. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2023. V. 68. № 6. P. 787. https://doi.org/10.1134/S0036023623600703
- Ioni Y.V., Voronov V.V., Naumkin A.V. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2015. V. 60. P. 709. https://doi.org/10.1134/S0036023615060066
- Bao Z.L., Guo N., Feng J.Y. et al. // Surf. Interfaces. 2025. V. 62. P. 106258. https://doi.org/10.1016/j.surfin.2025.106258
- Hilmi D., Zaim S., Mortadi A. et al. // Results Eng. 2024. V. 23. P. 102673. https://doi.org/10.1016/j.rineng.2024.102673
- Ioni Y.V., Groshkova Y.A., Buslaeva E.Y. et al. // Russ. J. Inorg. Chem. 2021. V. 66. P. 950. https://doi.org/10.1134/S0036023621060115
- Bhaskaram D.S., Biswal S., Govindaraj G. et al. // J. Alloys Compd. 2025. V. 1010. P. 178129. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.178129
- Apsey H., Hill D., McCoy T.M. et al. // J. Colloid Interface Sci. 2025. V. 687. P. 189. https://doi.org/10.1016/j.jcis.2025.02.055
- Yao F., Li W., SKS S.K. et al. // Chem. Eng. J. 2024. V. 488. P. 150828. https://doi.org/10.1016/j.cej.2024.150828
- Liang T., Hou W., Ji J. et al. // Sens. Actuators, А: Phys. 2023. V. 350. P. 144104. https://doi.org/10.1016/j.sna.2022.114104
- Ioni Y., Khamidullin T., Sapkov I. et al. // Carbon Lett. 2024. V. 34. № 4. P.1219. https://doi.org/10.1007/s42823-023-00680-3
- Massart R. // IEEE Trans. Magn. 1981. V. 17. № 2. 10.1109/tmag.1981.1061188' target='_blank'>https://doi: 10.1109/tmag.1981.1061188
- Galstenkova M.R., Mukhortova Y.R., Pryadko A.S. et al. // Nano-Struct. Nano-Objects. 2025. V. 41. P. 101431. https://doi.org/10.1016/j.nanoso.2025.101431
- Sarmasti K., Golchin A., Bostani A. et al. // Chemosphere. 2025. V. 378. P. 144424. https://doi.org/10.1016/j.chemosphere.2025.144424
- Basit A., Yaqoob Z., Zahid A. et al. // Heliyon. 2025. V. 11. № 2. P. e41063. https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2024.e41063
- Brusko V., Khannanov A., Rakhmatullin A. et al. // Carbon. 2024. V. 229. 119507. https://doi.org/10.1016/j.carbon.2024.119507
- Tayyebi A., Outokesh M. // RSC Advances. 2016. V. 6. № 17. P. 13898. https://doi.org/10.1039/C5RA19057F
- Mondal A., Kundu A.K., Biswas H.S. et al. // Inorg. Chem. Commun. 2024. V. 170. P. 113016. https://doi.org/10.1016/j.inoche.2024.113016
- Rehman T. ur, Shah L.A., Khan M. // Mater. Adv. 2024. V. 5. № 2. P. 806. https://doi.org/10.1039/D3MA00803G
- Ribeiro V.G.P., Barreto A.C.H., Denardin J.C. et al. // J. Mater. Adv. 2013. V. 48. P. 7875. https://doi.org/10.1007/s10853-013-7477-4
Дополнительные файлы
