DIFFUZIYa ATOMOV VODORODA IZ DIELEKTRIChESKIKh PODLOZhEK Si3N4 V AMORFNYE I POLIKRISTALLIChESKIE PLENKI Si I Ge

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅或者付费存取

详细

Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.

作者简介

L. Arapkina

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Email: arapkina@kapella.gpi.ru
Москва, Россия

K. Chizh

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Москва, Россия

D. Stavrovskiy

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Москва, Россия

V. Dubkov

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Москва, Россия

M. Storozhevykh

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Москва, Россия

V. Yur'ev

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Москва, Россия

参考

  1. B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).
  2. W. Soppe, H. Rieffe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).
  3. R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).
  4. M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).
  5. A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).
  6. J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).
  7. P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).
  8. C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).
  9. W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).
  10. W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).
  11. C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).
  12. J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).
  13. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
  14. P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).
  15. W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).
  16. S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).
  17. К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).
  18. P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).
  19. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).
  20. K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).
  21. L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).
  22. M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).
  23. D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).
  24. E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).
  25. W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).
  26. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).
  27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).
  28. W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Russian Academy of Sciences, 2024