Effect of Concentration Supercooling on the Structure and Properties of GaInAsSbP/GaP Heterostructures

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

The effect of concentration supercooling on the structure of GaInAsSbP/GaP heterostructures grown by the method of zone recrystallization by a temperature gradient is investigated. The main technological parameters of the growth process are revealed, the value of the initial concentration supercooling of the solution–melt is determined, which is necessary to establish a crystallization regime that prevents thermal degradation of the substrate and eliminates the possibility of capturing microinclusions of the solution–melt. The dependence of the mismatch of the lattice parameters of the GaP substrate and the GaInAsSbP layer on the initial supercooling is found.

Sobre autores

L. Lunin

Federal Research Center Southern Scientific Center RAS; Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Autor responsável pela correspondência
Email: lunin_ls@mail.ru
Rússia, Rostov-on-Don, 344006; Novocherkassk, 346428

M. Lunina

Federal Research Center Southern Scientific Center RAS

Email: lunin_ls@mail.ru
Rússia, Rostov-on-Don, 344006

A. Pashchenko

Federal Research Center Southern Scientific Center RAS; Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: lunin_ls@mail.ru
Rússia, Rostov-on-Don, 344006; Novocherkassk, 346428

A. Donskaya

Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI)

Email: lunin_ls@mail.ru
Rússia, Novocherkassk, 346428

Bibliografia

  1. Zubov F.I., Muretova M.E., Asryan L.V., Semenova E.S., Maximov M.V., Zhukov A.E. // J. Appl. Phys. 2018. V. 124. № 13. P. 133105. https://doi.org/10.1063/1.5039442
  2. Патент 2606756 (RU). Каскадная солнечная батарея. / АЦУР СПЭЙС Пауер Гмбх. Гутер В. // 2017. https://elibrary.ru/download/elibrary_38275843_ 77951486.pdf
  3. Butaev M., Skasyrsky Ya.K., Kozlovsky V.I., Andreev A.Yu., Yarotskaya I.V., Marmalyuk A. // Quantum Electronics. 2022. V. 52. № 4. P. 362. https://doi.org/10.1070/QEL18017
  4. Чистохин И.Б., Журавлев К.С. // Успехи прикладной физики. 2015. Т. 3. № 1. С. 85.
  5. Куницына Е.В., Андреев И.А., Коновалов Г.Г., Пивоварова А.А., Ильинская Н.Д., Яковлев Ю.П., Понуровский Я.Я., Надеждинский А.И., Кузьмичев А.С., Ставровский Д.Б., Спиридонов М.В. // Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56. № 5. С. 508. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.05.52355.9813
  6. Gamel M.M.A., Ker P.J., Lee H.J., wan Abd Rashid W.E.S., Jamaludin M.Z., Mohammed A.I.A. // IEEE 8th Int. Conf. on Photonics (ICP). Kota Bharu, Malaysia, 2020. Р. 42. https://doi.org/10.1109/ICP46580.2020.9206452
  7. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений A3B5 (новые материалы оптоэлектроники). СКНЦ ВШ: Ростов-на-Дону, 1992. 193 с.
  8. Казаков А.В., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., Хитова Л. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных гетеросистемах / Ред. Романенко В.Н. М.: Металлургия, 1987. 136 с.
  9. Гусейнов Р.Р., Танрывердиев В.А., Kipshidze G., Алиева Е.H., Алигулиева Х.В., Абдуллаев Н.А., Мамедов Н.Т. // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 4. С. 551. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44351.8401
  10. M. de la Mare, Das S.C., Das T.D., Dhar D., Krier A. // J. Phys. D. 2011. V. 44. № 31. https://doi.org/10.1088/0022-3727/44/31/315102
  11. Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Каргин Н.И. // Сб. трудов 8-й Междунар. науч.-практич. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники “Мокеровские чтения”. М.: НИЯУ МИФИ, 2017. С. 28. https://elibrary.ru/item.asp?id=30747078&pff=1
  12. Кушкимбаева Б.Ж., Егембердиева С.Ш., Кейкиманова М.Т., Наметкулова Р.Ж. // Механика и технологии. 2020. Т. 68. № 2. С. 51.
  13. Chikhalkar A., Zhang C., Faleev N., Honsberg C., King R.R. // IEEE 7th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC). 2018. P. 196. https://doi.org/10.1109/PVSC.2018.8547733
  14. Vadiee E., Renteria E., Zhang C., Williams J.J., Mansoori A., Addamane S., Balakrishnan G., Honsberg C.B. // 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). 2016. P. 1. https://doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750050
  15. Ramelan A.H., Harjana H., Arifin P. // Adv. Mater. Sci. Eng. 2010. V. 2010. P. 1. https://doi.org/10.1155/2010/923409
  16. Hayton J.P., Marshall A.R.J., Thompson M.D., Krier A. // AIMS Mater. Sci. 2015. V. 2. № 2. P. 86. https://doi.org/10.3934/matersci.2015.2.86
  17. Лунин Л.С., Благин А.В., Алфимова Д.Л. Физика градиентной эпитаксии многокомпонентных полупроводниковых гетероструктур. СКНЦ ВШ: Ростов-на-Дону, 2008. 212 с.
  18. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014. № 6. С. 103. https://doi.org/10.7868/S0207352814050023
  19. Кузнецов В.В., Лунин Л.С., Ратушный В.Н. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов соединений A3B5. СКНЦ ВШ: Ростов-на-Дону, 2003. 375 с.
  20. Алфимова Д.Л., Лунин Л.С., Лунина М.Л., Казакова А.Е., Пащенко А.С. // Неорган. материалы. 2017. Т. 53. № 12. С. 1245. https://doi.org/10.7868/S0002337X17120016
  21. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972. 240 с.
  22. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1987. 232 с.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Russian Academy of Sciences, 2025