Особенности магнитооптических спектров бислоев NiFe-Ta

Обложка
  • Авторы: Яшин М.М.1,2, Юрасов А.Н.1, Симдянова М.А.3, Гладышев И.В.1, Бахвалова Т.Н.1
  • Учреждения:
    1. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
    2. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет)»
    3. Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»
  • Выпуск: Том 88, № 11 (2024)
  • Страницы: 1835–1838
  • Раздел: Физика магнетизма
  • URL: https://cijournal.ru/0367-6765/article/view/682578
  • DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524110289
  • EDN: https://elibrary.ru/FIZKQA
  • ID: 682578

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Обсуждаются результаты моделирования магнитооптических свойств наноразмерных слоистых структур на основе структуры пермаллоя-тантала на кремниевой подложке. Cпектральные зависимости рассчитаны в экваториальной геометрии магнитооптического эффекта Керра (TKE) в диапазоне 0.5–4.0 эВ, при этом установлено сильно нелинейное поведение спектров в зависимости от толщины слоя пермаллоя и тантала. Также показано, что эффект Керра может быть значительно усилен при достаточно больших значениях толщины слоя тантала.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

М. М. Яшин

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»; Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана (национальный исследовательский университет)»

Email: alexey_yurasov@mail.ru
Россия, Москва; Москва

А. Н. Юрасов

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»

Автор, ответственный за переписку.
Email: alexey_yurasov@mail.ru
Россия, Москва

М. А. Симдянова

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова»

Email: alexey_yurasov@mail.ru
Россия, Москва

И. В. Гладышев

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»

Email: alexey_yurasov@mail.ru
Россия, Москва

Т. Н. Бахвалова

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»

Email: alexey_yurasov@mail.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Ганшина Е.А., Припеченков И.М., Перова Н.Н. и др. // Изв. РАН Сер. физ. 2023. Т. 87. № 3. С. 328; Ganshina E.A., Pripechenkov I.M., Perova N.N. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 3. P. 282.
  2. Ганшина Е.А., Вашук М.В., Виноградов А.Н. и др. // ЖЭТФ. 2004. Т. 125. № 5. С. 1172; Ganshina E.A., Vashuk M.V., Vinogradov A.N. et al. // JETP. 2004. V. 125. No. 5. P. 1172.
  3. Николаев С.Н., Черноглазов К.Ю., Емельянов А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2023. Т. 118. № 1-2(7). С. 46; Nikolaev S.N., Chernoglazov K.Yu., Emelyanov A.V. et al. // JETP Lett. 2023. V. 118. No. 1. P. 58.
  4. Юрасов А.Н., Яшин М.М., Гладышев И.В. и др. // РТЖ. 2021. Т. 9. № 3. С. 49.
  5. Юрасов А.Н., Яшин М.М., Гладышев И.В. и др. // Вестн. МГТУ им. Н. Э. Баумана. Сер. Ест. науки. 2023. № 5. С. 63.
  6. Трушин А.С., Кичин Г.А., Звездин К.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 1. С. 105; Trushin A.S., Kichin G.A., Zvezdin K.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No. 1. P. 88.
  7. Аrmelles G., Cebollada A., Garcia-Martin A. et al. // Adv. Opt. Mater. 2013. V. 1. No. 10. P. 10.
  8. Samarin S.N., Artamonov O.M., Baraban A.P. et al. // App. Phys. Lett. 2015. V. 107. Art. No. 101602.
  9. Safarov V.I., Kosobukin V.A., Hermann C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. No. 26. P. 3584.
  10. Hermann C., Kosobukin V.A., Lampel G. et al. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. No. 23. Art. No. 235422.
  11. Loughran T.H.J., Keatley P.S., Hendry E. et al. // Opt. Express. 2018. V. 26. No. 4. P. 4738.
  12. Sapienza L., Zerulla D. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. No. 3. Art. No. 033407.
  13. Skidanov V.A. // In: Book of Abstracts EASTMAG 2022 (Kazan, 2022). P. 1.
  14. Юрасов А.Н., Яшин М.М., Ганшина Е.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2022. Т. 86. № 5. С. 716; Yurasov A.N., Yashin M.M., Ganshina E.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2022. V. 86. No. 5. P. 601.
  15. Mayevsky V.M. // Fiz. Met. and Metalloved. 1985. V. 59. P. 213.
  16. Юрасов А.Н., Яшин М.М., Мирзокулов Х.Б. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 7. С. 969; Yurasov A.N., Yashin M.M., Mirzokulov Kh.B. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 7. P. 884.
  17. Tкачева В.Р. // Техника. Технологии. Инженерия. 2016. № 1. С. 37.
  18. Lima E., Tanaka T., Toyoda I.A. // PIER M. 2018. V. 75. P. 141.
  19. Пикалов А.М., Дорофенко А.В., Грановский А.Б. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 113. № 8. С. 527; Pikalov A.M., Dorofenko A.V., Granovsky A.B. // JETP Lett. 2021. V. 113. No. 8. P. 521.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Модельные спектральные зависимости ТКЕ слоистой структуры NiFe – Ta/Si при различной толщине слоя Ta: от 1 до 5 нм (а); от 5 до 25 нм (б). Толщина NiFe составляет 150 нм.

Скачать (163KB)
3. Рис. 2. Модельные спектральные зависимости ТКЕ слоистой структуры NiFe – Ta/Si при различной толщине слоя Ta: от 4 до 8 нм (а); от 8 до 12 нм (б). Толщина NiFe составляет 30 нм.

Скачать (160KB)
4. Рис. 3. Модельные спектральные зависимости ТКЕ слоистой структуры NiFe – Ta/Si (сплошная линия) при различной толщине слоя NiFe: от 5 до 30 нм (а); от 10 до 150 нм (б) в сравнении с экспериментом (точки). Толщина Та составляет 3 нм.

Скачать (184KB)
5. Рис. 4. Спектральные зависимости ТКЕ слоистой структуры NiFe – Ta/Si при различной толщине слоя NiFe: от 5 до 30 нм (а); от 10 до 150 нм (б). Толщина Та составляет 10 нм.

Скачать (156KB)

© Российская академия наук, 2024