О причинах низкого критического тока в двойниковых пленочных высокотемпературных сверхпроводниках
- Авторы: Ростами Х.Р.1, Лузанов В.А.1
-
Учреждения:
- Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Выпуск: Том 70, № 1 (2025)
- Страницы: 73-81
- Раздел: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ
- URL: https://cijournal.ru/0033-8494/article/view/684123
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849425010085
- EDN: https://elibrary.ru/HJFUQZ
- ID: 684123
Цитировать
Аннотация
С помощью осцилляционной дифференциальной методики локального приближения исследовано влияние внутренних локальных и внешних полей размагничивания на величину плотности критического тока междвойниковых джозефсоновских слабых связей Jc высокотемпературных сверхпроводниковых образцов YBCO. В режимах охлаждения в нулевом поле и охлаждения в нулевом поле с накоплением потока для образцов с разными Jc и размерами двойников d измерены поля размагничивания образцов Hр1 и Hр2. Определены значения: d; термодинамических первых критических магнитных полей двойников Hтк1; полей размагничивания двойников Hрд; плотности внутридвойниковых эффективных критических токов Jc эф; критических токов пиннинга Jc п и экранирующих мейснеровских критических токов Jc М. Показано, что при полях Hтк1 двойники больших размеров скачкообразно «распадаются» на группу двойников меньших размеров с близкими размагничивающими факторами. Обнаружено, что увеличение Jc М, Jc эф и уменьшение d приводят с одной стороны к снижению Jc из-за увеличения поля размагничивания образца Hр и Hр д, созданного Jc эф и Jc М, с другой стороны – к усилению Jc эф и Jc М за счет уменьшения d.
Ключевые слова
Об авторах
Х. Р. Ростами
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: rostami@ms.ire.rssi.ru
Фрязинский филиал
Россия, 141190, Московская обл., Фрязино, пл. Введенского, 1В. А. Лузанов
Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: rostami@ms.ire.rssi.ru
Фрязинский филиал
Россия, 141190, Московская обл., Фрязино, пл. Введенского, 1Список литературы
- Obradors X., Puig T., Ricart S. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2024. V. 37. № 5. Article No. 053001.
- Congreve J.V.J., Shi Y., Tutt N.C. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2024. V. 37. № 6. Article No. 065019.
- Yang Y., Deng G. // Supercond. Sci. Technol. 2024. V. 37. № 8. Article No. 085011.
- Sueyoshi T., Enokihata R., Yamaguchi H. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2024. V. 37. № 30. Article No. 3075010.
- Soman A.A., Wimbush S.C., Long N.J. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2024. V. 37. № 8. Article No. 085004.
- Голубков М.В., Степанов В.А. // ФТТ. 2024 Т. 66. № 4. С. 532.
- Ростами Х.Р. // Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 108. № 11. С. 734.
- Ростами Х.Р. // ЖТФ. 2020. T. 90. № 12. C. 2066.
- Bean C.P. // Rev. Mod. Phys. 1964. V. 36. № 1. Р. 31.
- Тинкхам М. // Введение в сверхпроводимость. М.: Атомиздат, 1980.
- Линтон Э. // Сверхпроводимость. М.: Мир, 1971.
- Svistunov V.M., D’yachenko A.I. // Supercond. Sci.Technol.1992. V. 5. № 2. Р. 98.
- Тarantini C., Yamamoto A., Jiang J. et al. // Supercond. Sci. Technol. 2016. V. 29. № 2. Article No.025004.
- Елистратов А.А., Максимов И.Л. // ФТТ. 2000. Т. 42. № 2. С. 196.
- Гохфельд Д.М. // ФТТ. 2014. Т. 56. № 12. С. 2298.
Дополнительные файлы
