Enviar artigo por via de e-mail Production of ferroelectric hafnium oxide films by magnetron sputtering
- Autores: Luzanov V.A.1
-
Afiliações:
- Fryazino Branch Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS
- Edição: Volume 69, Nº 10 (2024)
- Páginas: 1000-1003
- Seção: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://cijournal.ru/0033-8494/article/view/684753
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849424100106
- EDN: https://elibrary.ru/HPSBDR
- ID: 684753
Citar
Texto integral
Acesso aberto
Acesso está concedido
Acesso é pago ou somente para assinantes
Resumo
Hafnium oxide films containing a non-centrosymmetric orthorhombic phase capable of spontaneous polarization were obtained by magnetron sputtering. It was shown that the presence of bombardment with negative oxygen ions promotes the formation of the orthorhombic phase.
Palavras-chave
Texto integral
Sobre autores
V. Luzanov
Fryazino Branch Kotelnikov Institute of Radioengineering and Electronics of RAS
Autor responsável pela correspondência
Email: valery@luzanov.ru
Rússia, Vvedenskii Squar. 1, Fryazino, Moscow Region, 141190
Bibliografia
- Schenk T., Pešić1 M., Slesazeck S. et.al. // Reports on Progress in Physics. 2020. V. 83. № 8. P. 086501.
- Kim Min-Kyu, Kim Ik-Jyae, Lee Jang-Sik // Sci. Adv. 2021. V. 7. № 3. P. 1.
- Mikolajick T., Schroeder U., Slesazeck S. // IEEE Trans. 2020. V. ED-67. № 4. P. 1434.
- Park J. Y., Yang K., Lee D. H. et al. // J. Appl. Phys. 2020. V. 128. № 24. P. 240904.
- Mikolajick T., Slesazeck S., Park M. H., Schroeder U. // MRS Bull. 2018. V. 43. № 5. P. 340.
- Перевалов Т. В., Гриценко В. А., Гутаковский А. К., Просвирин И. П. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 109. № 2. С. 112.
- Горшков Д.В., Закиров, Е.Р., Сидоров Г.Ю. и др. // Изв. вузов. Физика. 2023. Т. 66. № 6. С. 111.
- Соколов А.А., Овчинников А.А., Лысенков К.М. и др. // ЖТФ. 2010. Т. 80. № 7. С. 131.
- Лузанов В.А. Магнетронное распылительное устройство. Патент РФ на изобретение № 2761900. Опубл. офиц. бюл. «Изобретения. Полезные модели». № 35 от 13.12. 2021.
- Лузанов В.А., Алексеев С.Г., Ползикова Н.И. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. С. 1015.
Arquivos suplementares
Arquivos suplementares
Ação
1.
JATS XML
2.
Fig. 1. X-ray diffraction pattern of HfO2 film deposited using a standard planar magnetron.
Baixar (88KB)
3.
Fig. 2. X-ray diffractogram of HfO2 film deposited using the original magnetron sputtering device: arrows indicate monoclinic (m) and orthorhombic (o) phases.
Baixar (111KB)
