Магнетотранспортные свойства монокристаллического n-CdAs2 при высоком давлении
- Authors: Saypulaeva L.A.1, Teben'kov A.V.2, Abdulvagidov S.B.1, Marenkin S.F.3, Nechushkin Y.B.3,4
-
Affiliations:
- Institute of Physics named after H. I. Amirhanov, DFIC of the Russian Academy of Sciences
- Ural Federal University, Institute of Natural Sciences and Mathematics
- Institute of General and Inorganic Chemistry named after N. S. Kurnakov of the Russian Academy of Sciences
- National University of Science and Technology “MISIS”
- Issue: Vol 61, No 5-6 (2025)
- Pages: 269-274
- Section: Articles
- URL: https://cijournal.ru/0002-337X/article/view/690698
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0002337X25030014
- EDN: https://elibrary.ru/lawhyc
- ID: 690698
Cite item
Abstract
Электросопротивление и поперечное магнетосопротивление (МС) монокристалла n-CdAs2 измерялись при давлении до 50 ГПа и комнатной температуре. С увеличением давления увеличивается отрицательное баросопротивление, возрастающее с магнитным полем и достигающее максимума в 8% при 1 Тл. Обнаружен резкий рост отрицательного МС в области давлений, предшествующих структурным изменениям. Измеренные свойства позволили впервые идентифицировать новый структурный фазовый переход I рода, наблюдающийся в окрестности 35 ГПа при компрессии и в области 20 ГПа при декомпрессии. Барический гистерезис шириной 15 ГПа свидетельствует о наличии метастабильной высокобарической фазы и сосуществовании низко- и высокобарической фаз в широком интервале давлений.
About the authors
L. A. Saypulaeva
Institute of Physics named after H. I. Amirhanov, DFIC of the Russian Academy of Sciences
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Yaragskogo St., 94, Makhachkala, 367003 Russia
A. V. Teben'kov
Ural Federal University, Institute of Natural Sciences and Mathematics
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Kuybysheva St., 48, Yekaterinburg, 620000 Russia
S. B. Abdulvagidov
Institute of Physics named after H. I. Amirhanov, DFIC of the Russian Academy of Sciences
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Yaragskogo St., 94, Makhachkala, 367003 Russia
S. F. Marenkin
Institute of General and Inorganic Chemistry named after N. S. Kurnakov of the Russian Academy of Sciences
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Leninsky Ave., 31, Moscow, 119991 Russia
Y. B. Nechushkin
Institute of General and Inorganic Chemistry named after N. S. Kurnakov of the Russian Academy of Sciences; National University of Science and Technology “MISIS”
Author for correspondence.
Email: l.saypulaeva@gmail.com
Leninsky Ave., 31, Moscow, 119991 Russia; Leninsky Ave., 4, Moscow, 119991 Russia
References
- Маренкин С.Ф., Трухан В.М. Фосфиды, арсениды цинка и кадмия. Минск: Вараскин А.Н., 2010. 224 с.
- Turner W.J., Fischler A.S., Reese W.E. Physical Properties of Several II–V Semiconductors // Phys. Rev. 1961. V. 121. № 3. P. 759–767.
- Маренкин С.Ф., В.А. Морозова В.А., Кошелев О.Г. Структурные дефекты и параметры зонной структуры монокристаллов CdAs2, ZnAs2, Cd1–xZnxAs2, Zn1–xCdxAs2 // Неорган. материалы. 2010. Т. 46. № 9. С. 1114–1120.
- Okamoto H. The As-Zn (arsenic-zinc) system // J. Phase Equilib. 1992. V. 13. № 2. P. 155–161.
- Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, Физматлит, 1979. 464 с.
- Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов Р.К., Маренкин С.Ф. Влияние гидростатического сжатия на электрофизические свойства монокристаллического диарсенида кадмия // Неорган. материалы. 2001. Т. 37. № 4. С. 405–408.
- Mollaev A. Yu., Saypulaeva L.A., Arslanov R.K., Gabibov S.F., Marenkin S.F. Electrophysical Properties of ZnAs2 and CdAs2 at Hydrostatic Pressure up to 9 GPa // High Pressure Res J. 2002. V. 22. № 1. P. 181–184.
- Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Арсланов Р.К., Габибов С.Ф., Маренкин С.Ф., Вольфкович А.Ю. Удельное электросопротивление и эффект Холла диарсенида цинка при гидростатическом давлении до 9 ГПа // Неорган. материалы. 2002. Т. 38. № 3. С. 263–264.
- Моллаев А.Ю., Сайпулаева Л.А., Алибеков А.Г., Маренкин С.Ф., Бабушкин А.Н. Фазовые превращения в полупроводниках AIIBV при высоком давлении // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. Вып. 6. С. 730–734.
- Маренкин С.Ф., Раухман А.М., Маймасов А.Б., Попов В.А. Особенности выращивания монокристаллов CdAs2 по методу Бриджмена // Неорган. материалы. 1997. Т. 33. № 12. С. 1439–1447.
- Vereschagin L.F., Yakovlev E.N., Vinogradov B.V., Stepanov G.N., Bibaev K. Kh., Alaeva T.J., Sakun V.P. Megabar Pressure Between Anvils // High Temp., High Pressures. 1974. V. 6. P. 99–505.
- Babushkin A.N., Pilipenko G.I., Gavrilov F.F. The Electrical Conductivity and Thermal Electromotive Force of Lithium Hydride and Lithium Deuteride at 20–50 GPa // J. Phys.: Condens. Matter. 1993. V. 5. P. 8659–8664.
- Сайпулаева Л.А., Абдулвагидов Ш.Б., Тебеньков А.В., Маренкин С.Ф. Структурные фазовые превращения в n-CdAs2, индуцированные давлением: рентгеновские и электрофизические свойства // Физика и техника высоких давлений. 2024. Т. 34. № 4. С. 62–73.
- Żdanowicz E., Portal J.C., Wojciechowski W., Sokolovskii V.A. Proc. 16th School on Physics of Semiconducting Compounds // Acta Phys. Pol. A. 1988. V. 73. P. 3
- Kawabata A. Theory of Negative Magnetoresistance I. Application to Heavily Doped Semiconductors // J. Phys. Soc. Jpn. 1980. V. 49. P. 628–637.
- Oubraham A., Biskupski G., Zdanowicz E. Negative Magnetoresistance of n-type Compensated Cadmium Arsenide (CdAs2) in the Temperature Range 1.1 K — 4.2 K // Solid State Commun. 1991. V. 77. № 5. P. 351–354.
- Toyozawa Y. Theory of Localized Spins and Negative Magnetoresistance in the Metallic Impurity Conduction // J. Phys. Jpn. 1962. V. 17. № 6. P. 986–1004.
- Al’tshuler B.L., Aronov A.G., Khmel’nitskii D.E. Negative Magnetoresistance in Semiconductors in the Hopping Conduction Region // JETP Lett. 1982. V. 36. № 5. P. 195–198.
- Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977. 615 с.
- Berkowitz A.E., Mitchell J.R., Carey M.J., Young A.P., Zhang S., Spada F.E., Parker F.T., Hutten A., Thomas G. Giant Magnetoresistance in Heterogeneous Cu-Co alloys // Phys. Rev. Lett. 1992. V. 68. P. 3745–3748.
- Fratila L., Maurin I., Dubourdieu C., Villégier J.C. Spin-polarized Quasiparticles Injection in La0.7Sr0.3MnO3 / SrTiO3 / Nb heterostructure devices // Appl. Phys. Lett. 2005. V. 86. № 12. 122505.
- Soulen R.J., Byers J.M., Osofsky M.S., Nadgorny B., Ambrose T., Cheng S.F., Broussard P.R., Tanaka C.T., Nowak J., Moodera J.S., Barry A., Coey J.M. Measuring the Spin Polarization of a Metal with a Superconducting Point Contact // Science. 1998. V. 282. P. 85–88.
- Сайпулаева Л.А., Риль А.И., Маренкин С.Ф., Абдулвагидов Ш.Б., Залибеков У.З. Влияние высокого давления на кинетические характеристики гетерогенного сплава Cd3As2(MnAs)0.03 // ФТТ. 2024. Т. 66. № 5. С. 699–702.
Supplementary files
